Ni2P表面電子状態におけるP偏析の効果

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • The effects of P segregation on the surface electronic structure of Ni2P surface

抄録

Ni2Pは水素化脱硫反応に対し高い触媒活性を示す。最近、走査型トンネル顕微鏡による研究でアニールによる表面再構成が報告され、Pの偏析が原因と推測されている。Pは触媒活性に重要な役割を持つと考えられ、P偏析の挙動を解析することが重要である。本研究ではオージェ電子分光・低速電子回折を用い、アニールによる電子状態の変化を調査した。　AES測定より、300℃付近でPが偏析することが分かった。LEEDパターンは300℃以上で(1×1)からc(2×4)に変化した。これらの結果からc(2×4)は偏析したPの配列を反映していると考えられる。これはSTMで提案されたPの偏析モデルを分光学的に実証するものである。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205679574272
  • NII論文ID
    130005456467
  • DOI
    10.14886/sssj2008.32.0_137
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ