アナターゼTiO2エピタキシャル薄膜のPLD合成とin situ測定によるフラットバンド電位の膜厚依存性
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- 松本 祐司
- 東北大院工
書誌事項
- タイトル別名
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- PLD synthesis of anatase TiO2 epitaxial films and their thickness-dependent flat band potential by in situ UHV-electrochemistry approach
抄録
当研究室オリジナルのPLD-電気化学システムを用いて,NbドープSrTiO3(001)基板上に膜厚の異なるアナターゼTiO2(001)薄膜を作製し,その電気化学特性について,大気暴露せず,Ar雰囲気下,1MのHClO4電解質中で評価を行なった。その結果,成長膜厚の増大とともに,(001)面特有の(1x4)の表面再構成が発達し,フラットバンド電位が,およそ+0.5Vシフトすることを見いだした。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 78-, 2016
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205679877504
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- NII論文ID
- 130005175875
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可