Initial growth stage of silicon on the Ni(111) surface

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  • Ni(111)表面上のSiの成長初期過程

Abstract

半導体上の金属吸着の研究例は非常に多いが、金属上の半導体や絶縁体形成初期に関する研究は多くはない。本研究では、ニッケル(111)表面に、典型的な半導体であるシリコンを吸着させたときの初期吸着挙動を超高真空STMを用いて調べた。室温吸着したシリコンは表面原子とは反応せず、孤立して、もしくはデンドリマー状に集合し、特定の超構造をとらないことが分かった。

Journal

Details

  • CRID
    1390001205679960064
  • NII Article ID
    130007008245
  • DOI
    10.14886/sssj2008.30.0.188.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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