Ni(111)表面上のSiの成長初期過程
書誌事項
- タイトル別名
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- Initial growth stage of silicon on the Ni(111) surface
説明
半導体上の金属吸着の研究例は非常に多いが、金属上の半導体や絶縁体形成初期に関する研究は多くはない。本研究では、ニッケル(111)表面に、典型的な半導体であるシリコンを吸着させたときの初期吸着挙動を超高真空STMを用いて調べた。室温吸着したシリコンは表面原子とは反応せず、孤立して、もしくはデンドリマー状に集合し、特定の超構造をとらないことが分かった。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 188-188, 2010
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205679960064
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- NII論文ID
- 130007008245
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可