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- 杉山 正和
- 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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- 藤井 宏昌
- 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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- トープラサートポン カシディット
- 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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- ソダーバンル ハッサネット
- 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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- 王 云鵬
- 東京大学先端科学技術研究センター
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- 渡辺 健太郎
- 東京大学先端科学技術研究センター
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- 中野 義昭
- 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
書誌事項
- タイトル別名
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- Strain-Balanced Quantum-Well Superlattice for Efficiency Enhancement of Multijunction Solar Cells(<Special Issue>Novel Solar Cells Utilizing Nano- and Hetero-Structure)
- 多接合太陽電池の高効率化にむけた歪補償量子井戸超格子
- タセツゴウ タイヨウ デンチ ノ コウコウリツカ ニ ムケタ ワイ ホショウ リョウシ イド チョウコウシ
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抄録
This paper will summarize our approach toward efficiency enhancement of multijunction cells using InGaAs/GaAsP quantum wells with both the quasi-lattice-match relationship with GaAs host and the extended absorption edge to a longer wavelength than the value of GaAs. The optimized structure for efficient collection of photo-generated carriers in the InGaAs wells employed both thin (≤3 nm) barriers for tunneling-assisted carrier transport and a stepwise potential to assist thermionic carrier escape. In spite of its small thickness, 100 stacks of InGaAs wells in GaAs pin junction evidenced up to 80% internal quantum efficiency in the sub-bandgap region of GaAs. The growth of such a structure necessitates elaborate control of strain accumulation, for which in situ monitoring of wafer curvature proved to be quite effective. The heterointerfaces between compressive InGaAs and tensile GaAsP imposes difficulty in keeping surface morphology up to >100 stacks. The interlayer should be inserted at such interfaces to mitigate straininduced crystal imperfection, as evidenced by in situ surface reflectance monitoring.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 41 (2), 87-95, 2014
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205896748672
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- NII論文ID
- 110009841768
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- NII書誌ID
- AA12677650
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- ISSN
- 21887268
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 025609888
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可