書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis of Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth in GaInN Characterized by in Situ X-ray Diffraction(<Special Issue>Semiconductor Crystal Growth Mechanism studied by in-situ Observation Techniques)
- その場X線回折法による有機金属化合物気相成長GaInNの評価
- ソノ バ Xセン カイセツホウ ニ ヨル ユウキ キンゾク カゴウブツ キソウ セイチョウ GaInN ノ ヒョウカ
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抄録
High performance group III nitride semiconductor based light-emitting diodes and laser diodes most fabricated by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). In situ monitoring in MOVPE is the key process in device manufacturing. These information can be feedback to growth condition and find its mechanism. In this paper, we reported the analyzation of MOVPE growth in GaInN single layer and GaInN/GaN superlattice on GaN by in situ XRD monitoring.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 42 (3), 218-224, 2015
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205897316096
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- NII論文ID
- 110010006394
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- NII書誌ID
- AA12677650
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- ISSN
- 21887268
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 026842954
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可