Crystal Growth of Semipolar GaN on Si Substrate(<Special Issue>Breakthrough in Nitride Crystal Growth for Next Generation Devices)

DOI Web Site 27 References
  • Honda Yoshio
    名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻・赤崎研究センター

Bibliographic Information

Other Title
  • Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
  • Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長
  • Si キバン ジョウ ハンキョクセイ チッカブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ

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Abstract

(1-101) GaN and (11-22) GaN was grown by MOVPE on etched Si substrate. A characteristic of optical, electrical and impurity was evaluated on each face GaN. We also reported an Indium incorporation and a process of dislocation propagation on the (1-101) GaN in this paper.

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