ThSb<sub>2</sub>とThBi<sub>2</sub>の単結晶育成とドハース・ファンアルフェン効果

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タイトル別名
  • Single Crystal Growth and de Haas-van Alphen Effect in ThSb<sub>2</sub> and ThBi<sub>2</sub>

抄録

<p>ThSb_2_とThBi_2_はanti-Cu_2_Sb型の正方晶構造をもつことが知られているが，物性についての報告はほとんど無い．本研究ではそれぞれSbおよびBiの自己フラックス法で初めて単結晶育成に成功した．電気抵抗から，育成された単結晶はThSb_2_ではρ_0_=0.3 μΩ･cmおよびRRR=85，ThBi_2_ではρ_0_=0.7 μΩ･cmおよびRRR=37であることがわかった．その純良性を反映して明瞭なdHvA振動が観測された．発表では両化合物のフェルミ面をスピン軌道相互作用の大きさを考慮しながら比較して議論する．</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205959817216
  • NII論文ID
    130006244432
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1763
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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