K-doped trilayer graphene: high-resolution ARPES

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  • K吸着3層グラフェンの高分解能ARPES

Abstract

<p>3層グラフェンにおけるK吸着に関連した電子状態の変化を明らかにする目的で、熱分解法と水素終端法により作製したSiC基板上のABC積層型3層グラフェン表面にKを吸着し、電子状態の変化を高分解能ARPESによって測定した。その結果、K吸着によってK点でエネルギーギャップが形成されるとともに、ディラック点がシフトすることを見出した。講演では、K吸着によるバンドギャップ形成のメカニズムについて詳細に議論する。</p>

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  • CRID
    1390001205960829696
  • NII Article ID
    130006244409
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1690
  • ISSN
    21890803
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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