Ballistic transport properties of suspended InAs nanowires

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  • 架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性

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<p>半導体量子細線において、架橋構造を用いることにより基板表面による散乱が抑制され、高品質な一次元伝導チャネルが実現できることが知られている。今回、SiO2基板をエッチング加工することにより、量子細線の電極間距離が100nm程度の架橋型InAs細線試料を作製することが可能となり、バリスティック伝導を示す量子化伝導度が零磁場・温度2Kで観測された。</p>

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205960854016
  • NII Article ID
    130006243729
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1077
  • ISSN
    21890803
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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