28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
書誌事項
- タイトル別名
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- Reduction of Interface states at GaAs/Insulator Interface by KCN treatment
収録刊行物
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- 日本物理学会講演概要集
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日本物理学会講演概要集 53.2.2 (0), 410-, 1998
一般社団法人 日本物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001206027648768
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- NII論文ID
- 110002057026
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- ISSN
- 21890803
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles