顕微ラマンイメージングによる高温領域のSiC結晶のLOPCモードの温度依存性に関する研究

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タイトル別名
  • Investigation of temperature dependence of LOPC mode in SiC crystal in High Temperature Region by Micro-Raman Imaging

説明

<p>４H-SiCによるパワーMOS-FETは，低損失かつ高速スイッチング特性をもつ大電力用インバータ素子として期待されている．パワーMOS-FETにおいてSiCは200℃以上の高温で動作させるため，電極接触界面における局所的な応力は闘値変動や機械的な剥離，クラック等，信頼性低下の要因が指摘されており，パワーデバイス開発のためには熱応力変化やその電子物性を知る必要がある．ごく最近Yangら[1]が４H-SiCのラマンスペクトルの温度依存性の高分解能測定を報告しているが，LOPCモードの高温領域の実験報告自体が少ない．また，LOPCモードのラマンスペクトルからの電子移動度,電子密度の測定は,室温に限定されたものが多い．我々は,既に電極接触界面をもつ4H-SiCのE２モードの3次元ラマンイメージングから相対的な応力について報告した[2]．本講演は4H-SiC結晶のLOPCモード（LO-plasma coupled mode）のラマンイメージングの温度依存性を測定してスペクトル幅と中心振動数を解析し，それらと高温領域のSiCのミクロン領域の電子密度や電子移動度との関係を検討した結果について報告する．</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206046775040
  • NII論文ID
    130006710447
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2661
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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