EuCu<sub>2</sub>(Ge<sub>1-x</sub>Si<sub>x</sub>)<sub>2</sub>単結晶の電子状態

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Electronic States of Single Crystal EuCu<sub>2</sub>(Ge<sub>1-x</sub>Si<sub>x</sub>)<sub>2</sub>

抄録

<p>EuCu_2_Si_2_はアーク溶解した多結晶では価数揺動化合物であるが、単結晶試料ではネール点が約10Kの反強磁性体、あるいはスピングラスと報告されている。一方EuCu_2_Ge_2_はネール点が9Kの反強磁性体である。多結晶でのEuCu_2_(Ge_1-x_Si_x_)_2_研究は大変興味深く、Si量xの増大とともにネール点はx=0.65付近でゼロとなり、反強磁性の量子臨界点に達する。本研究ではこれらの単結晶をインジウムを使ったフラックス法で育成し、EuCu_2_Si_2_の物性を始めとして研究したので報告する。</p>

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206047933312
  • NII論文ID
    130006709899
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2054
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ