3-1 OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance CHange) 法の発展経緯・現状・将来展望

DOI
  • 二川 清
    NECエレクトロニクス株式会社評価技術開発事業部

説明

OBIRCH法では、レーザビームでLSIチップ上を走査しながら加熱した際の配線などの抵抗変化を画像化することにより、電流経路や各種欠陥が可視化できる。IR-OBIRCH法は、LSIチップ裏面側からの解析が可能なため、応用範囲はさらに広い。LSIテスタとのリンクによりI_<DDQ>異常LSI、さらには多くの機能不良LSIの解析も可能となった。銅配線のエレクトロマイグレーション試験結果の解析、プロセス開発での欠陥解析にも使われている。派生技術も有効に使われている。検出限界、感度向上策なども議論が始まり、将来に向けた対策にも道が見えてきている。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206131344896
  • NII論文ID
    110004012429
  • DOI
    10.11348/reajsym.16.0_25
  • ISSN
    24242357
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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