4a-PS-29 Si(001)エピタキシャル成長の非経験的計算II. : 吸着による表面再構成の消失

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タイトル別名
  • 4a-PS-29 Ab Initio Caleulation of Si(001)-Epitaxial Growth II. : Reconstruction caused by adsorption

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206156684160
  • NII論文ID
    110002023612
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_447_2
  • ISSN
    2433118X
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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