4p-L-5 酸素ドープしたGaAsの結晶成長(I)

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• CRID

  1390001206171675264

• NII論文ID

  110002268896

• DOI

  10.11316/jpsgaiyoi.22.2.0_210_2

• ISSN

  24331163

• 本文言語コード

  ja

• データソース種別

  • JaLC
  • CiNii Articles