書誌事項
- タイトル別名
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- N+ ion-irradiated Zr/SiO2 interface. XPS study.
- N + イオン ショウシャシタ Zr SiO2 カイメン XPSホウ ニ ヨル
- XPS Study
- XPS法による研究
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説明
Interface of N+ion-irradiated Zr/SiO2 was examined by the XPS method combined with Ar+ion sputteretching. The ion irradiation was found to form a diffusion layer at the interface and to generate chemical bonds like Zr-Si and Zr-O-Si in the diffusion layer. The diffusion layer was inferred to be an atomically mixed phase of Zr, Si, O, and N atoms rather than a mixed phase of Zr and SiO2.
収録刊行物
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- 粉体および粉末冶金
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粉体および粉末冶金 35 (3), 177-179, 1988
一般社団法人 粉体粉末冶金協会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001206309013376
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- NII論文ID
- 130000813241
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- NII書誌ID
- AN00222724
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- ISSN
- 18809014
- 05328799
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- NDL書誌ID
- 3184639
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可