Special Issue on Recent Progress in Transition-Metal Silicide Technology. Silicidation Reactions and Contact Characteristics at Transition Metal/Silicon Interfaces.

DOI Web Site Open Access
  • ZAIMA Shigeaki
    Department of Crystalline Materials Science, School of Engineering, Nagoya University
  • YASUDA Yukio
    Department of Crystalline Materials Science, School of Engineering, Nagoya University

Bibliographic Information

Other Title
  • 特集　高融点金属シリサイドに関する最近の話題　シリサイド化反応とコンタクト特性

Description

シリコン大規模集積回路 (ULSI) の極微細化ともに, コンタクト抵抗やその信頼性にかかわる諸問題が深刻化し, 新しい低抵抗コンタクト材料の開発や金属/半導体界面の固相反応の理解と制御が必要となっている。このためには, 界面の結晶学的構造と電子的状態, 電気的特性の関連を包括的に理解することが不可欠である。本報告ではHf/Si (001) コンタクトを中心にして, 高融点金属/シリコンの界面の結晶学的構造やコンタクト抵抗率, ショットキー障壁高さなどの電気的特性について述べ, シリサイド化反応とコンタクト特性の関連について明らかにする。

Journal

  • Hyomen Kagaku

    Hyomen Kagaku 16 (4), 244-250, 1995

    The Surface Science Society of Japan

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