Si(111)7×7 表面再構成過程のストレス変位

  • 朝岡 秀人
    日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
  • 魚住 雄輝
    日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター 日立パワーソリューションズ

書誌事項

タイトル別名
  • Stress Evolution during Si(111)7×7 Surface Reconstruction
  • Si(111)7 × 7 ヒョウメン サイコウセイ カテイ ノ ストレス ヘンイ
  • Stress Evolution during Si(111)7×7 Surface Reconstruction

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抄録

<p>We have focused on stress measurements of the reconstructed Si(111) 7×7 and the hydrogen (H)-terminated Si(111) 1×1 surfaces. In order to obtain information on both the surface stress and the surface structure simultaneously, we have combined the surface-curvature and the reflection high-energy electron-diffraction instrumentations in an identical ultrahigh vacuum system. The surface stress behaviors during desorption and adsorption processes of hydrogen on the Si(111) surfaces reveal that the Si(111) 1×1 surface releases 1.6∼1.7 N/m (= J/m2), or 1.3∼1.4 eV/ (1×1 unit cell), of the surface energy from the strong tensile Si(111) 7×7 reconstruction.</p>

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 37 (9), 446-450, 2016

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (16)*注記

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