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- 高橋 正光
- 日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
書誌事項
- タイトル別名
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- GaAs Surface under Molecular-Beam Epitaxial Growth Conditions
- ケッショウ セイチョウ ジョウケン カ ニ オケル GaAs(001)ヒョウメン コウゾウ
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説明
Surface sturctures of GaAs(001) under growth conditions have been investigated using in situ X-ray diffraction. Theatomic arrangements of GaAs(001) surface stabilized at an elevated temperature under As pressure were quantitativelydetermined in a molecular-beam epitaxy chamber integrated with an X-ray diffractometer. With the help of high angularresolution of synchrotron radiation, disordered sructures appearing in the transition from (2×4) to other phases wereclarified. Energy tunability of synchrotron X-rays allowed for element-sepcific analysis of the c (4×4) struture,providing direct evidence for Ga-As heterodimer formation.
収録刊行物
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- 表面科学
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表面科学 33 (9), 507-512, 2012
公益社団法人 日本表面科学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001206457929984
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- NII論文ID
- 130004486777
- 10031068499
- 40019432892
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- NII書誌ID
- AN00334149
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- ISSN
- 18814743
- 03885321
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- NDL書誌ID
- 023980497
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可