金属誘起層交換法によるAg上Si，Ge極薄膜の形成

DOI Web Site Web Site 参考文献28件
  • 黒澤 昌志
    名古屋大学 未来材料・システム研究所 名古屋大学 高等研究院 名古屋大学 大学院工学研究科
  • 大田 晃生
    名古屋大学 高等研究院 名古屋大学 大学院工学研究科
  • 洗平 昌晃
    名古屋大学 未来材料・システム研究所 名古屋大学 高等研究院 名古屋大学 大学院工学研究科
  • 財満 鎭明
    名古屋大学 未来材料・システム研究所 名古屋大学 大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • Ultrathin Si or Ge Films on Ag Formed by Metal-Induced Layer Exchange Method
  • 金属誘起層交換法によるAg上Si,Ge極薄膜の形成 : シリセン,ゲルマネンの創製を目指して
  • キンゾク ユウキソウ コウカンホウ ニ ヨル Ag ジョウ Si,Ge ゴクウスマク ノ ケイセイ : シリセン,ゲルマネン ノ ソウセイ オ メザシテ
  • —シリセン，ゲルマネンの創製を目指して—
  • —A First Step Towards Creation of Silicene and Germanene—

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抄録

<p>Two-dimensional (2D) honeycomb sheet of Si and Ge, known as silicene and germanene, respectively, is a promising material for next-generation group-IV electronics. Most researchers have synthesized them by deposition of Si or Ge atoms on metal substrates. On the other hand, this paper proposes a unique technique for synthesizing these 2D honeycomb sheets on Ag-covered Si or Ge substrate by using Ag-induced layer exchange (ALEX) process. Our method enables surface segregation of Si or Ge atoms from the underlying substrate by tuning annealing condition during ALEX. We believe that the present study is a first step towards creation of 2D honeycomb sheets on a Si chip.</p>

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 37 (8), 374-379, 2016

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (28)*注記

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