バイアス印加硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測

DOI Web Site 参考文献6件
  • 山下 良之
    (独)物質・材料研究機構 MANAナノエレクトロニクス材料ユニット (独)物質・材料研究機構 高輝度放射光ステーション
  • 吉川 英樹
    (独)物質・材料研究機構 表面化学分析グループ
  • 知京 豊裕
    (独)物質・材料研究機構 MANAナノエレクトロニクス材料ユニット
  • 小林 啓介
    (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

書誌事項

タイトル別名
  • Bias-Dependence Potential Distribution in Gate Stack Structuresby Hard-X-ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation
  • バイアス インカコウXセン コウデンシ ブンコウホウ ニ ヨル ゲートスタック コウゾウ ナイ ノ ポテンシャル ブンプ ノ チョクセツ カンソク

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抄録

We employed hard X-ray photoelectron spectroscopy in operating devices. This method allows us to investigate bias dependent electronic states while keeping device structures intact. Using this method we have investigated electronic states and potential distribution in a Pt gate metal/high-k gate stack structure under device operation. We have found that a potential gradient was formed at the Pt/HfO2 interface by analyzing the shifts of the core levels as a function of the applied bias voltage. Angle resolved photoelectron spectroscopy revealed that a SiO2 layer was formed at the Pt/HfO2 interface, which is the origin of the potential gradient formed at the Pt/HfO2 interface.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 35 (7), 361-364, 2014

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (6)*注記

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