イオンビーム照射ポリフッ化ビニリデン薄膜のエッチング挙動　　エッチング前処理・照射イオン効果の検討

DOI Web Site 被引用文献5件 参考文献22件
  • 八巻 徹也
    (独)日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • ROHANI Rosiah
    Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency
  • 越川 博
    (独)日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • 高橋 周一
    (独)日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • 長谷川 伸
    (独)日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • 浅野 雅春
    (独)日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • VOSS Kay-Obbe
    Materials Research Department, Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH (GSI)
  • NEUMANN Reinhard
    Materials Research Department, Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH (GSI)
  • 前川 康成
    (独)日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

書誌事項

タイトル別名
  • Etching Behavior of Poly(vinylidene fluoride) Thin Films Irradiated with Ion Beams-Effect of Irradiated Ions and Pretreatment
  • イオン ビーム ショウシャ ポリフッカ ビニリデン ハクマク ノ エッチング キョドウ エッチング マエショリ ショウシャ イオン コウカ ノ ケントウ
  • Etching Behavior of Poly(vinylidene fluoride) Thin Films Irradiated with Ion Beams—Effect of Irradiated Ions and Pretreatment

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抄録

Poly(vinylidene fluoride) thin films irradiated with four kinds of ion beams were exposed to a 9 M KOH aqueous solution after their storage in air for 30 or 90 days at different temperatures. According to the conductometry, the heating at 120°C was found to enhance the etch rate in the latent track without changing that in the bulk, thereby enabling us to obtain very high etching sensitivity for the preparation of nano-sized through-pores. The formation of hydroperoxides during this pretreatment should facilitate the introduction of the etching agent to improve etchability. Additionally, the irradiation of higher-LET ions, causing each track to contain more activated sites (like radicals), was preferable to achieve high sensitivity of the etching.<br>

収録刊行物

  • 高分子論文集

    高分子論文集 65 (3), 273-276, 2008

    公益社団法人 高分子学会

被引用文献 (5)*注記

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参考文献 (22)*注記

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