ハーフトーンマスク用二層レジスト技術の開発

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タイトル別名
  • Development of Two-Layer Resist Technology for the Halftone Mask
  • ハーフトーンマスクヨウ 2ソウ レジスト ギジュツ ノ カイハツ

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電子デバイスの製造工程においては，ハーフトーンマスク(HTM)を使用し，異なる膜厚のレジストパターンを一度に作製することで工程数の削減が行われている．ただし，HTM を使用する場合，感度曲線の急峻な部分でレジストを露光するため，数 10%のレジスト残膜厚を安定して得ることが困難である．そこで，筆者らは，以前感度の異なる 2 種類のレジスト間に水溶性の中間層を挟んだ三層塗布構造にすることにより，下層レジストのみを残存させ安定して数 10%の膜厚を得ることに成功した．しかしながら，三層塗布では 3 回塗布を行うことになり，工程数の削減に十分な効果が期待できない．本研究では，アルカリ現像可能な化学構造の異なる 2 種類の i 線用レジスト(親水性の水溶性ネガ型レジストと疎水性の化学増幅ネガ型レジスト)を用いてレジストどうしでミキシングが起こらない二層塗布を実現し，新たな HTM 用二層レジスト技術を開発した．<br>

収録刊行物

  • 高分子論文集

    高分子論文集 67 (9), 506-510, 2010

    公益社団法人 高分子学会

参考文献 (10)*注記

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