プラズマを用いた原子層エッチング(ALE)

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  • 本田 昌伸
    東京エレクトロン宮城株式会社 宮城技術開発センター先端プロセス開発室

書誌事項

タイトル別名
  • Plasma enhanced atomic layer etching
  • プラズマ オ モチイタ ゲンシソウ エッチング(ALE)

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説明

<p>原子層エッチング(ALE)は，エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し，それぞれの過程を繰り返すことで，原子層オーダの加工性能を可能にする技術である．ALEプロセスでは，サイクル中にエッチング反応が自動的に原子層オーダで停止する自己律速型反応が重要な役割を担う．本反応を利用することで，表面のエッチング反応を原子層オーダで制御することができ，5/7nmノード世代以降の半導体デバイス製造に求められる超微細加工を可能にする．本稿では，ALEの基本原理，期待される効果を説明するとともに，被エッチング材料，適用プロセスごとに異なるさまざまなALE技術について概説する．高精度の加工性能を有するALE技術に現在，多くの耳目が集まっている．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 88 (3), 173-179, 2019-03-10

    公益社団法人 応用物理学会

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