メタルゲート／高誘電率絶縁膜スタックの最前線

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タイトル別名
  • Metal gate/high-<i>k</i> gate stack technology for advanced CMOS
  • メタル ゲート コウユウデンリツ ゼツエンマク スタック ノ サイゼンセン

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抄録

<p>メタルゲート技術，高誘電率ゲート絶縁膜技術は，CMOS LSIの微細化，高性能化を今後とも継続して進めていくための重要な技術である．Hf系高誘電率ゲート絶縁膜は，その形成プロセスを最適化することにより，酸化膜換算膜厚0.8nm程度までスケーリング可能であり，ハーフピッチ32nmの世代へも適用可能性があることを示す．メタルゲート技術は，インテグレーション方式や必要とするデバイス特性を考慮して，ゲート電極材料やゲートスタックの構造を選択する必要があることを指摘する．また，今後の課題と展望についても述べる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 76 (9), 1006-1012, 2007-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

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