低誘電率絶縁膜材料の進化と最先端ULSI多層配線技術

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タイトル別名
  • Structural and compositional evolutions of low-k films for advanced ULSI interconnects
  • テイユウデンリツ ゼツエン マク ザイリョウ ノ シンカ ト サイセンタン ULSI タソウ ハイセン ギジュツ

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説明

<p>ULSIの消費電力削減には多層配線の寄生容量を低減することが必要で，ULSIデバイスの微細化に対応し，配線層間絶縁膜を低誘電率化していかなければならない．90nm世代ULSIでは，140nm間隔銅配線の絶縁分離に，シリカ層間絶縁膜の組成を制御して，低電子分極率化した有機シリカ膜(比誘電率k=3)が導入された．65nm世代以降では，低分極率化に加え，膜中にサブナノ空孔を分散させるポーラス化によりさらに比誘電率を下げていく必要がある．本稿では，層間絶縁膜のポーラス化に対応したULSIプロセスインテグレーション(統合化)技術と，プラズマ重合反応を利用した分子レベルの空孔構造制御技術について紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 74 (9), 1178-1184, 2005-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

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