不揮発性半導体メモリー技術の現状

DOI Web Site 被引用文献3件 参考文献84件

書誌事項

タイトル別名
  • Review of nonvolatile semiconductor memories
  • フキハツセイ ハンドウタイ メモリー ギジュツ ノ ゲンジョウ

この論文をさがす

説明

<p>不揮発性半導体メモリー技術の現状を概観した．フラッシュメモリーに高集積化の限界が見え始め，これに代わる新メモリーの提案が活発である．新型の不揮発性メモリーはフラッシュメモリーと異なり，電荷蓄積によらない原理に基づく．超高集積NAND型フラッシュメモリーをPRAMやReRAMが置き換える可能性が議論されるが，課題も多く，置き換えは容易ではない．一方，フラッシュメモリーの高い動作電圧，遅い書き換え速度，有限の書き換え回数などの弱点をカバーする分野でFeRAMやMRAMが浸透し始めている．新型不揮発性メモリー実用化には，フラッシュでは実現できない新しい分野で製品化を果たし，技術を育てる発想が求められる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 77 (9), 1060-1071, 2008-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

被引用文献 (3)*注記

もっと見る

参考文献 (84)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ