フルバンドモンテカルロ法を用いたSi中の電子の飽和速度とエネルギー緩和時間

DOI Web Site Web Site 参考文献6件
  • 吉原 滉樹
    京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
  • 廣木 彰
    京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • Analysis of Saturation Velocity and Energy Relaxation Time of Electrons in Si Using Full-band Monte Carlo Simulation
  • フルバンドモンテカルロホウ オ モチイタ Si チュウ ノ デンシ ノ ホウワ ソクド ト エネルギー カンワ ジカン

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説明

<p>In this paper, we have investigated the influence of optical phonon energy on electron saturation velocity and energy relaxation time by using a full band Monte Carlo simulator. The energy band structure is obtained using the first principle calculation. The scattering probability is calculated so as to conserve the energy and momentum in the full band structure. It is found that the range of optical phonon energy from 56.2 to 63.9 meV allows experimental saturation velocity and energy relaxation time. Electron saturation velocity is more sensitive than relaxation time to the optical phonon energy.</p>

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