Advantages of GaN and Related Materials over Si and Issues to be Solved
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- AMANO Hiroshi
- Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University
Bibliographic Information
- Other Title
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- 「材料研究の楽しさ」
- ザイリョウ ケンキュウ ノ タノシサ
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Abstract
半導体の王者は言わずと知れたSiである。市場規模を比べると,化合物半導体全部含めてもSiの1/10にも満たない。それでも化合物半導体,とりわけGaN系窒化物半導体にこだわっている理由は,この材料の物性自体がとても興味深いこと,およびSiでは出来ないことが出来る,或いは今後できそうだからである。本寄稿では,筆者が学生の頃からこれまで30年以上もの間取り組んでいるGaN系窒化物半導体材料の研究で,特に表面と真空について学んだことを中心に書かせて頂くことにする。
Journal
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- Vacuum and Surface Science
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Vacuum and Surface Science 61 (9), 565-567, 2018-09-10
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001288069859968
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- NII Article ID
- 130007474850
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- NII Book ID
- AA12808657
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- ISSN
- 24335843
- 24335835
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- NDL BIB ID
- 029219719
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed