酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用

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タイトル別名
  • Formation, material properties, and device applications of zinc oxide thin films

抄録

酸化物半導体は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラスやプラスチック基板上にスパッタ法などで成膜でき、その薄膜トランジスタは、ディスプレー応用が進んでいる。われわれは，酸化物半導体の中で酸化亜鉛に注目し、ZnO系電子デバイスの潜在的な性能評価のため、MBE成膜した単結晶ヘテロ構造で電子の輸送特性などを評価してきた。ここでは、材料物性に加え、センサーなどへの応用についても報告する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001288093299072
  • NII論文ID
    130007519288
  • DOI
    10.14886/sssj2008.2018.0_367
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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