GaN系半導体レーザーの高出力化と長波長化への道程

DOI Web Site Web Site 参考文献24件
  • 枡井 真吾
    日亜化学工業（株） 第二部門開発本部第三開発部
  • 長濱 慎一
    日亜化学工業（株） 第二部門開発本部第三開発部

書誌事項

タイトル別名
  • Road to Higher Optical Output Power and Longer Wavelength of GaN Based Semiconductor Laser Diodes
  • Laser Review 40th Anniversary GaN系半導体レーザーの高出力化と長波長化への道程
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説明

AlInGaN is most attractive material due to a directive semiconductor materials covering wide band energy ranging 0.8‒6.4 eV. AlInGaN based violet semiconductor laser diodes (LD) is fi rst demonstrated by Nichia Corporation in 1995. Since it, AlInGaN based LDs device characteristics have been improving and its lasing wavelength are expand from UV, blue, to green. In this paper, the technology histories of higher power and longer wavelength GaN based LDs are reviewed. Also, recent high optical power watt class blue and green LDs characteristics are introduced.

収録刊行物

  • レーザー研究

    レーザー研究 41 (11), 899-, 2013

    一般社団法人 レーザー学会

参考文献 (24)*注記

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