Ge(110)基板上GeSnヘテロエピタキシャル層の局所領域における異方的ひずみ構造のマイクロ回折分析

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書誌事項

タイトル別名
  • Microdiffraction Analysis on Anisotropic Local Strain Structures of GeSn Hetero-Epitaxial Layers Grown on Ge(110) Substrates

説明

Ge(110) 基板上に形成した GeSn 混晶エピタキシャル層における局所ひずみ構造をマイクロ回折法によって分析した。[001]方向からマイクロビームを入射してサブミクロンスケールの走査を行った ω ロッキングカーブにおいては特徴的な揺らぎが観測されたのに対し、[110]方向からの観察に対してはこのような揺らぎは現れなかった。これは GeSn/Ge(110) 界面の異方的な転位伝播やひずみ緩和構造に関連すると推測される。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390005506399274496
  • NII論文ID
    130007969523
  • DOI
    10.18957/rr.7.2.114
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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