電界砥粒制御技術を導入したダイヤモンドポリッシング技術に関する検討
抄録
<p>SiC，サファイア基板等のCMP工程における負担低減を目的とし，硬質樹脂パッドと電界砥粒制御技術を導入した新たな低ダメージ機械研磨技術を開発する．本報告では，樹脂パッドを適用することで，従来の金属製定盤による加工と比較して，形成される加工変質層深さを約0.16倍に低減可能であることを得た．さらに，大型装置における電界研磨実験により，研磨効率向上効果を確認し，従来ラップ加工と比較して1.5倍程度の研磨レートを得た．</p>
収録刊行物
-
- 精密工学会学術講演会講演論文集
-
精密工学会学術講演会講演論文集 2020A (0), 255-256, 2020-08-20
公益社団法人 精密工学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390005667262492416
-
- NII論文ID
- 130007988881
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可