ひずみ制御が可能にする高圧相半導体材料の実現

DOI Web Site Web Site 被引用文献1件 参考文献35件
  • 瀬奈 ハディ
    国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Stabilization of High-Pressure Phase Semiconductors by Plastic Strain
  • ひずみ制御が可能にする高圧相半導体材料の実現 : フロンティア研究シリーズ
  • ヒズミ セイギョ ガ カノウ ニ スル コウアツソウ ハンドウタイ ザイリョウ ノ ジツゲン : フロンティア ケンキュウ シリーズ

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抄録

<p>The large band gap of most metal oxides restricts their photocatalytic activity to the ultraviolet (UV) range of the solar spectrum. Almost 5% UV is present in the whole solar spectrum so that designing metal oxide semiconductors with the capability of absorbing visible light is long attempted. The large band gap of metal oxides can be reduced by methods like doping, however, photocatalytic activity is not necessarily enhanced due to the defect-induced carrier recombination losses. In recent years, we have focused on the high-pressure phases of wide band gap semiconductors, which theoretically possess narrow band gaps, being able to absorb visible light. In this review, high-pressure phases of well-known semiconductors like TiO2, ZnO, and Y2O3 have been stabilized by applying a severe plastic deformation method, and their photocatalytic properties are evaluated.</p>

収録刊行物

  • 粉体工学会誌

    粉体工学会誌 58 (2), 66-72, 2021-02-10

    一般社団法人 粉体工学会

被引用文献 (1)*注記

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