Homojunction in Sprayed CuInS2 Thin-Film〔邦文〕

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  • Homojunction in Sprayed CuInS Thin-Film
  • Homojunction in Sprayed CuInS2 Thin Fil

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抄録

type:Article

In this work the homojunction in sprayed CuInS_2 thin films has been studied. Thin film of Indium metal was evaporated on the Indium-Tin Oxide (ITO) coated glass substrate, and the solution of Cu(CH_3COO)_2H_2O, InCl_3 and (NH_2)_2 CS dissolved indeionized water was sprayed onto the heated substrate. Thickhess of the CuInS_2 film was about 2μm.The film was annealed in sulfur vapor of about 1 atm for 10--30 minutes at 450-500℃. Au film was evaporated as the top electrode which had been confirmed to show ohmic contact with both p-type and n-type CuInS_2 film. The diffusion potential was in the range of 0.77--1.17eV, and the saturation current density was 10^<-2>--10A/m^2.

スプレイCuInS_2薄膜のホモ接合に関する研究がなされた。ITOがコートされたガラス基板上にインジュウムをコートし，加熱されたその基板上に酢酸銅，塩化インジュウム，チオウレアを脱イオン水に溶かした溶液をスプレイした。CuInS_2薄膜の厚さは約2μmであった。この薄膜を約1気圧の硫黄蒸気中450～500℃で10～30分間熱処理した。予めp, n両タイプのCuInS_2薄膜とオーミック接触を示すことをチェックした金薄膜を上部電極として蒸着した。拡散電位は0.77～1.17eV，飽和電流密度は1O^<-2>～10A/㎡であった。

identifier:富山大学工学部紀要，39

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