超LSIデバイスウェハの平坦化CMPに関する研究 : スラリーフリーCMPの可能性 (平面精密研磨に関する研究) <研究報告>

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抄録

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超LSIデバイスの平坦化技術としてCMP(Chemical Mechanical Polishing)技術の重要性は年々高まってきている。従来の平坦化CMPプロセスでは硬質のポリウレタンからなる研磨パッド上に研磨砥粒を含む研磨液(スラリー)を流し、被研磨物と研磨パッドを相対運動させることにより平坦化CMPをおこなっている。しかし、従来のCMPプロセスには解決すべき点があり、また今後の加工精度の要求事項への対応が困難であるといった問題がある。この問題を解決するため新しい平坦化CMPプロセスとして固定砥粒方式の平坦化CMPが注目を浴びている。本研究では、固定砥粒による平坦化cMPを実現すべく、従来の研磨パッドとは全く異なった、極細繊維からなる織物の研磨パッドの考案・試作を行ない、同パッドを用いて研磨パッドにも研磨液にも砥粒を使用しないで研磨を行なうクーラント方式cMPの可能性とcMP特性の把握・評価を行なった。その結果、Cu-CMPにおいては研磨パッドにも研磨液にも砥粒を使用しないクーラント方式CMP実現の見通しを得た。ただし、SiO2-CMPでは必ずしも満足する結果が得られているわけでなく、今後の検討課題である。

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