Ni窒化物半導体のショットキーバリアダイオード特性評価と窒化時間依存性

DOI

森岡璃久

松江高専
市川和典

松江高専
赤松浩

神戸高専
大島多美子

佐世保高専
葉文昌

島根大学

書誌事項

タイトル別名

Investigation of Ni nitride semiconductor Schottky barrier diode and nitride time dependence

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 1427-1427, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390010765206278656
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1427
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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