Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO<sub>2</sub>薄膜の形成とMFSFETの特性向上
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- 片岡 正和
- 東工大
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- 林 将生
- 東工大
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- Kim Min Gee
- 東工大
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- 大見 俊一郎
- 東工大
書誌事項
- タイトル別名
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- Improvement of MFSFET characteristics with ferroelectric non-doped HfO<sub>2</sub> utilizing Hf interfacial layer
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 1240-1240, 2020-02-28
公益社団法人 応用物理学会