AlNワイドギャップ半導体上へのNbN超伝導体エピタキシャル成長

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書誌事項

タイトル別名
  • Epitaxial growth of superconducting NbN on wide-bandgap AlN

抄録

<p>窒化ニオブ（NbN）は，単一光子検出器や量子ビットに搭載されている超伝導材料である．興味深いことに，NbNはワイドギャップ半導体AlNと格子整合性が高いため，両材料の持つ機能をエピタキシャル成長によって融合できる可能性がある．しかしながら，AlNをはじめとする窒化物半導体にエピタキシャル成長させたNbN薄膜の基礎的な特性には不明な点が多い．本稿では，スパッタ法でAlN上に成長させたNbN薄膜の構造特性と電気特性について紹介する．さらに，AlNとNbNの結晶構造の相違がNbNの双晶を生み出すメカニズムを示し，NbN双晶の制御技術についても紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 91 (7), 411-415, 2022-07-01

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390011108727591168
  • DOI
    10.11470/oubutsu.91.7_411
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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