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「研究データ」「根拠データ」の収録について
真空蒸着と低温アニールによるSn媒介GeSnナノドット形成
DOI
対馬 和都
弘前大理工
滝田 健介
弘前大理工
俵 毅彦
NTT物性基礎研
舘野 功太
NTT物性基礎研
章 国強
NTT物性基礎研
後藤 秀樹
NTT物性基礎研
岡本 浩
弘前大理工
書誌事項
タイトル別名
Formation of tin mediated GeSn nanodots by vacuum evaporation
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3387-3387, 2018-09-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
19p-PB7-6
結晶工学
IV族結晶，IV-IV族混晶
結晶成長
ナノドット
ゲルマニウム
スズ
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390011959362110080
DOI
10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3387
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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