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新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
不純物制御したBN からの近紫外線発光（I）合成と発光特性
DOI
武田 隆史
物材機構
解 栄軍
物材機構
ジョ ユジン
物材機構
高橋 向星
物材機構
関口 隆史
物材機構
小山 幸典
物材機構
広崎 尚登
物材機構
書誌事項
タイトル別名
Impurity-Induced Near-UV Emission from Boron Nitride (I) Synthesis and Emission
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3177-3177, 2017-03-01
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
14a-411-6
半導体
光物性・発光デバイス
蛍光体
近紫外線発光
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390012711638216064
DOI
10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3177
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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