Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al<sub>0.61</sub>Ga<sub>0.39</sub>N ternary alloy epitaxial layers

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  • Al<sub>0.61</sub>Ga<sub>0.39</sub>N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性

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