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アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性
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小林 篤
東大生研
伊藤 剛輝
東大生研
ライ ケーシン
東大生研
上野 耕平
東大生研
太田 実雄
東大生研
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藤岡 洋
東大生研
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書誌事項
タイトル別名
Characteristics of InGaN thin-film transistors on amorphous substrates
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3450-3450, 2016-03-03
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
21a-H121-8
結晶工学
III-V族窒化物結晶
成長（MBE, スパッタリング）
結晶成長
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390013972158394496
DOI
10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3450
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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