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新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
パルススパッタ法によるhcp金属基板上への窒化物薄膜成長
DOI
金 惠蓮
東大
太田 実雄
東大
田中 龍太
東大
小林 篤
東大
上野 耕平
東大
藤岡 洋
東大
JST-CREST
書誌事項
タイトル別名
Growth of group III nitrides on hcp metals by pulsed sputtering deposition
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 (0), 3193-3193, 2014-09-01
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
17p-C5-16
結晶工学
III-V族窒化物結晶
スパッタ
窒化物半導体
金属
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390014945749081472
DOI
10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3193
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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