硬Ｘ線光電子分光法による (Er<sub>x</sub>Sc<sub>1-x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si(111) 界面のバンド構造解析

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  • Band Structure Analysis of (Er<sub>x</sub>Sc<sub>1-x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si(111) Interface using Hard X-ray Photoemission Spectroscopy

抄録

本報告ではシリコンフォトニクス用の通信波長帯導波路型レーザーおよび光増幅器の開発を目的として、分子線エピタキシャル法により Si(111) 基板上に (ErxSc1-x)2O3 膜を成長させ、(ErxSc1-x)2O3 膜と Si(111) 基板との間に埋もれて形成された界面のバンド不連続(バンドオフセット)を硬Ｘ線光電子分光法 (HAXPES: Hard X-ray Photoemission Spectroscopy) により評価した。(ErxSc1-x)2O3 膜と Si(111) 基板との急峻な界面における価電子帯のバンド不連続 (ΔVBM) が 2.7 – 3.4 eV、伝導帯のバンド不連続 (ΔCBM) が 1.4 – 2.1 eV であること、また、ΔVBM と ΔCBM が成長膜中の Er 濃度(x)に依存し、ΔVBM は x の増加に伴い徐々に増加し、ΔCBM は徐々に減少することが明らかになった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390015133365928704
  • DOI
    10.18957/rr.11.3.167
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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