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- Alberto Castellazzi
- Solid-State Power Processing (SP2) Lab, Faculty of Engineering, Kyoto University of Advanced Science
抄録
<p>ワイドギャップ半導体デバイスは，シリコンデバイスよりも高速なスイッチ速度，より高いスイッチ周波数とより高い温度で効率を落とさずに動作させることが可能である。このような特徴は，現在の電力変換器の電力変換効率と電力密度に大きな進歩を可能とする。しかしながら，ワイドギャップ半導体デバイスの優れた特徴を完全に活用するためには，パッケージング技術の広範囲でひたむきな開発と課題解決が要望される。この論文では，現在の開発動向と克服が必要である挑戦的課題について概説する。</p>
収録刊行物
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- エレクトロニクス実装学会誌
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エレクトロニクス実装学会誌 26 (5), 454-459, 2023-08-01
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390015487572369536
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- ISSN
- 1884121X
- 13439677
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- JaLC
- Crossref
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可