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走査型電子顕微鏡を用いた貫通刃状転位起因の4H-SiC(0001)表面ステップテラス構造の観察
DOI
梶野 智規
関学大理工
久津間 保徳
関学大理工
芦田 晃嗣
関学大理工
大谷 昇
関学大理工
金子 忠昭
関学大理工
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 (0), 4054-4054, 2013-08-31
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
17p-P8-7
結晶工学
IV族結晶.IV-IV族混晶
dislocation
SEM
SiC
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390015564795449472
DOI
10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4054
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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