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実験的サービス公開サイトであるCiNii Labsを公開しました。
紫外線照射による4H-SiC MOSデバイスの電気特性劣化
DOI
池口 大輔
阪大院工
桐野 嵩史
阪大院工
箕谷 周平
ローム
中野 佑紀
ローム
中村 孝
ローム
細井 卓治
阪大院工
志村 考功
阪大院工
渡部 平司
阪大院工
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.1 (0), 3786-3786, 2011-03-09
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
25p-BL-4
結晶工学
IV族系化合物
MOS
SiC
紫外線
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390017300968252800
DOI
10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3786
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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