紫外線照射による4H-SiC MOSデバイスの電気特性劣化

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池口大輔

阪大院工
桐野嵩史

阪大院工
箕谷周平

ローム
中野佑紀

ローム
中村孝

ローム
細井卓治

阪大院工
志村考功

阪大院工
渡部平司

阪大院工

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.1 (0), 3786-3786, 2011-03-09

公益社団法人応用物理学会

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CRID

1390017300968252800
DOI

10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3786
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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