高効率同時融合プラズマCMP装置の開発と加工特性評価

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抄録

<p>難加工材料であるSiCやGaN、ダイヤモンドに対する高効率加工法としてプラズマCMP加工法がある。プラズマCMP加工法の実用化に向けて、複数枚の基板に対してプラズマ照射とCMPの同時融合加工が可能な実用型プラズマCMP装置を開発した。プラズマ照射とCMPの実施時間比率に着目して、プラズマ照射とCMPのサイクルを最適化することで、GaN基板に対するプラズマCMPの加工効率の向上を検討した。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390017843875400192
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2023a.0_693
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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