SiC基板表面形状とMOSデバイス絶縁破壊箇所の相関のC-AFM評価

DOI

上西悠介

阪大院工
小園幸平

阪大院工
箕谷周平

ローム
中野佑紀

ローム
中村孝

ローム
細井卓治

阪大院工
志村孝功

阪大院工
渡部平司

阪大院工

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 3566-3566, 2010-03-03

公益社団法人応用物理学会

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CRID

1390017975919336704
DOI

10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3566
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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